11月11日，榜首财经记者从美国加利福尼亚北区法院发布的信息了解到，长江存储已于11月9日申述美光科技有限公司（下称“美光”）及全资子公司美光消费产品集团有限责任公司侵略其8项美国专利。长江存储在专利侵权申述书中称，诉讼是为了停止美光广泛且没有经过授权运用长江存储专利立异。

  长江存储是国内最大的3D NAND Flash（闪存芯片制作）厂商。长江存储在申述书中说到，美光运用长江存储的专利技能，以抵挡来自长江存储的竞赛，并取得和维护商场占有率。诉讼旨在处理以下问题的一个方面：美光企图经过迫使长江存储退出3D NAND Flash（闪存）商场来阻挠竞赛和立异。

  长江存储在以上申述书中称，长江存储不再是新秀（upstart），罢了成为全世界3D NAND商场的重要参与者。长江存储表明，上一年11月，剖析和盯梢闪存商场的TechInsights公司得出结论：长江存储是3D NAND闪存范畴的领导者，超过了美光。

  NAND Flash和DRAM是现在最首要的两种存储介质，NAND Flash可制作SSD（固态硬盘）等存储器，用于手机、服务器、PC等产品。集邦咨询多个方面数据显现，本年第二季度，全球NAND Flash品牌厂商中，三星、铠侠、SK Group、西部数据、美光的市占率分别为31.1%、19.6%、17.8%、14.7%和13%，其他厂商占比仅3.8%。

  2018年，长江存储量产榜首代32层3D NAND Flash芯片，2019年量产64层256Gb TLC 3D NAND闪存，2020年越过96层研制两款128层闪存产品。长江存储此前还推进扩产。集邦咨询剖析称，2022年第三季度，受长江存储扩大笔电Client SSD出货等影响，价格战日益剧烈，原厂不得不拉大议价空间，招引客户进步订单数量。

  2022年10月，美国商务部工业和安全局发布出口控制新规，约束对我国出口芯片制作设备等，将长江存储NAND Flash芯片层数卡在已量产的最新工艺上。当年12月，美国又将长江存储归入出口控制“实体清单”。

  除NAND Flash外，美光也是首要的DRAM出产商之一。2016年，出产DRAM的另一大存储芯片厂商福建晋华与联电签署技能合作协议，开发DRAM相关制程技能，在福建晋江出资56.5亿美元建造一条12英寸晶圆厂出产线年，美光在美国申述晋华与联电，称晋华职工窃取其知识产权交给晋华。2018年，美国商务部又将晋华列入出口控制“实体清单”。